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發布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發展,濕法設備已經成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產工藝,現已形成可滿足LED產業化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據用戶要求提供個性化解決方案設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.agencerenoir.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.agencerenoir.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體行業相關清洗設備解決方案。
發布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下:從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優勢。一是這種結構方式易實現槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優勢斜式三角鍍槽結構本系統采用傾斜式三角形鍍槽結構,鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩定且不易積累氣泡的流場環境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結構,可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優點可使電鍍液的用量減至最少程度。 南通華林科納CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結構上的特點,該方法經實驗驗證具有:①結構簡單;②工藝參數控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統,目前已批量生產并在工藝線上得到較好的應用,產品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現的主要工藝指標:最大晶...
發布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(CDS)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-CDS自動供酸系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在自動模式情形...
發布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2"-12";可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節約成本(藥液循環利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注南通華林科納半導體官網,關注http://www.agencerenoir.com ,400-8768-096,18913575037
發布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-氫氟酸供液系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式 設備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸(HF)供液系統設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在...
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2019年3月20-22日 ,SEMICON China 2019展覽會將在上海新國際博覽中心盛大開幕。在這一年一度的半導體行業盛會上,我們將展示最新的產品及最前沿的技術,并期待與業界專家交流市場商機,洽談合作機會。在此,華林科納誠摯邀請您蒞臨我們的展位!華林科納展位號 【5584】▲華林科納展位號  5584重點主推產品濕法清洗系統、刻蝕系統、CDS系統、尾氣處理系統的四大系列數十種型號的產品時間:2019年3月20-22日地址:上海新國際博覽中心N5華林科納展位號:5584與 您 不 見 不 散 !
發布時間: 2019 - 01 - 07
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實驗室常用的改進的RCA 清洗工藝1.水中超聲清洗:灰塵、殘余物去除2.濃硫酸、濃硫酸+雙氧水:表面污染(有機物、重金屬、微粒)      BHF去除氧化層 (to 疏水性)3.堿洗(雙氧水、氨水、水):顆粒、有機物去除      BHF去除氧化層 (to 疏水性)4.酸洗(雙氧水、鹽酸、水):微粒、金屬去除      BHF去除氧化層 (to 疏水性)5.超純水淋洗:去除離子設備組成:  中央控制系統及晶圓輸入端  串聯式化學酸槽、堿槽及洗滌槽  檢測系統,包括流量監測,溫度檢測,酸槽化學濃度校準  旋轉、干燥設備南通華林科納專業生產半導體濕法清洗設備包括RCA清洗設備,兆聲清洗設備,超聲清洗設備,更多詳情可以關注http://www.agencerenoir.com/ ,400-8768-096
發布時間: 2018 - 07 - 05
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RCA清洗工藝是一種在半導體制造過程中被廣泛應用的工藝,是去除硅片表面各類玷污的有效方法。南通華林科納的工程師在本文中簡單介紹了RCA清洗工藝的原理及應用。 隨著半導體技術的發展,半導體器件和集成電路內各元件及連線越來越微細,因此制造過程中,塵粒、金屬等的污染,對晶片內電路功能的損壞影響越來越大。因此在制作過程中除了要排除外界的污染源外,集成電路制造工藝過程中均需要對硅片表面進行清洗,以有效地使用化學溶液清除殘留在硅片表面上的各種雜質。 硅片是半導體器件和集成電路中使用最廣泛的基底材料,對其表面的清洗是整個硅片制造工藝中極為重要的環節之一。半導體領域中的濕式清洗技術是伴隨設備的微小化及對產品質量要求的不斷提高而提高的,是以 RCA 清洗技術為基本的框架,經過多年的不斷發展形成。完全清潔的基片表面是實現高性能處理的第一步。如果基底表面不完全清潔,其他處理無論如何控制也達不到高質量的要求。 目前在國內,對硅片表面進行化學清洗的設備比較多,但大多屬于手動設備,在實際應用過程中存在工藝一致性差、效率低下、無法適應大批量生產等缺點。國外進口的全自動 RCA 清洗機雖然性能優越,但售價非常昂貴,使眾多半導體生產廠家望而卻步。鑒于此,南通華林科納CSE自主獨立開發了全自動半導體RCA 清洗機,經過試驗和用戶使用驗證,完全能達到用戶的使用要求。&#...
發布時間: 2018 - 07 - 06
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一.簡介  兆聲清洗是運用在半導體清洗設備中的一種比較新穎清洗技術,它不僅保存了超聲波清洗的優點,而且克服了它的不足,它是由高頻(900khz 可根據實際使用來定)振效應并結合化學清洗劑的化學反應對硅片進行清洗的。在清洗時,由換能器發出波長為1μm頻率為0.8兆赫的高能聲波。溶液分子在這種聲波的推動下作加速運動,最大瞬時速度可達到30cm/s。因此,形成不了超聲波清洗那樣的氣泡,而只能以高速的流體波連續沖擊晶片表面,使硅片表面附著的污染物的細小微粒被強制除去并進入到清洗液中。 二.作用兆聲波清洗可去掉硅片表面上小于0.2μm的粒子,起到超聲波起不到的作用。這種方法能同時起到機械擦片和化學清洗兩種方法的作用。目前兆聲波清洗方法已成為拋光片清洗的一種有效方法。 三.結構兆聲波清洗的結構主要可以分為放著清洗晶片的石英槽體、保證在清洗過程溫度穩定的溢流外槽、產生兆聲波的兆聲振盒及其發生器、保證清洗槽體內溫度的在線加熱和根據設備使用中是否需要的自動供酸系統,是否有其他結構可根據實際使用來進行添加。 四.使用原理  兆聲波清洗機是用在硅片清洗中的一種清洗技術,使用時首先要把清洗槽體和在線加熱內注入適當的清洗的液體,注入的的方法可根據廠方的注液方式分為手動上液和自動上液,上液完成之后打開在線加熱,使溫度達到使用溫度,溫度達到時...
發布時間: 2018 - 07 - 03
瀏覽次數:136
濕法腐蝕清洗設備是集成電路、LED、太陽能、MEMS等芯片制造中必不可少的工藝設備,而為了更好的達到腐蝕效果,在各種腐蝕工藝中往往要配合藥液的循環完成,從而達到更好的腐蝕均勻性。南通華林科納半導體CSE工程師介紹了幾種常用的腐蝕工藝循環原理及在濕法腐蝕清洗設備的典型應用。 關鍵詞:工藝槽循環過濾; 濕法腐蝕清洗; 硅腐蝕;隨著芯片制造特征尺寸的縮小,工藝水平的不斷提高,對晶片腐蝕的均勻性,晶片表面顆粒及金屬污染等潔凈度指標提出了更高的要求,因此,濕法腐蝕清洗設備在采用晶片旋轉、抖動、超聲清洗、兆聲清洗等的同時,業內普遍采用工藝槽循環過濾方式,來凈化槽內藥液,同時均勻流場保證藥液濃度和溫度的均勻性。1 濕法腐蝕的關鍵問題硅的濕法腐蝕在選擇腐蝕工藝和腐蝕劑時,需考慮諸多因素影響(如濃度、時間、溫度、攪拌等)的同時,需考慮以下幾方面的問題:(1)腐蝕速率。較高的腐蝕速率將有效的縮短腐蝕時間,但所得到的腐蝕表面較粗糙。腐蝕液的濃度與腐蝕速率及腐蝕表面質量有關,當腐蝕液濃度較小時,腐蝕速率較大。(2)腐蝕選擇性。選擇性是指要腐蝕材料的腐蝕速率與不希望腐蝕的材料(如掩模)的腐蝕速率的比率。一般地,選擇比越大越好。(3)腐蝕均勻性。在硅腐蝕表面各處,腐蝕速率常常不相等,造成腐蝕表面出現起伏等,腐蝕尺寸比較大時表現尤為明顯。這與腐蝕液濃度有關,反應槽中腐蝕液的濃度一直...
發布時間: 2018 - 01 - 11
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在太陽能電池生產中,制絨是晶硅電池的第 一道工藝。華林科納CSE的工程師提到對于單晶硅來說,制絨的目的就是延長 光在電池表面的傳播路徑,從而提高太陽能電池對光的吸收效率。單晶硅制絨的主要方法是用堿 (NaOH、KOH)對硅片表面進行腐蝕。由于硅片的 內部結構不同,各向異性的堿液制絨主要是使晶 向分布均勻的單晶硅表面形成類似“金字塔”狀的 絨面,有效地增強硅片對入射太陽光的吸收,從而 提高光生電流密度。對于既可獲得低的表面反射 率,又有利于太陽能電池的后續制作工藝的絨面, 應該是金字塔大小均勻,單體尺寸在 2~10 μm 之間,相鄰金字塔之間沒有空隙,即覆蓋率達到 100%。理想質量絨面的形成,受到了諸多因素的 影響,如硅片被腐蝕前的表面狀態、制絨液的組 成、各組分的含量、溫度、反應時間等。而在工業生 產中,對這一工藝過程的影響因素更加復雜,例如 加工硅片的數量、醇類的揮發、反應產物在溶液中 的積聚、制絨液中各組分的變化等。為了維持生產 良好的可重復性,并獲得高的生產效率。就要比較 透徹地了解金字塔絨面的形成機理,控制對制絨 過程中影響較大的因素,在較短的時間內形成質 量較好的金字塔絨面。單晶制絨的工藝比較復雜,不同公司有各自 獨特的制絨方法。一般堿制絨有以下幾種方法: NaOH+IPA、NaOH+IPA+NaSiO3、NaOH+CH3CH2OH 等。一般使用到的化學添加劑有兩種,一...
發布時間: 2018 - 07 - 02
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集成電路濕法工藝的目的半導體集成電路制程主要以20世紀50年代以后發明的四項基礎工藝(離子注入、擴散、外延生長及光刻)為基礎逐漸發展起來,由于集成電路內各元件及連線相當微細,因此制造過程中,如果遭到塵粒、金屬的污染,很容易造成晶片內電路功能的損壞,形成短路或斷路等,導致集成電路的失效以及影響幾何特征的形成。濕法工藝作用是在不破壞晶圓表面特性及電特性的前提下,有效地使用化學藥液清除殘留在晶圓上之微塵、金屬離子、自然氧化層及有機物之雜質。  批處理清洗設備                         單晶圓清洗設備 集成電路工藝過程IC芯片主要工藝過程 濕法設備的應用濕法設備在8寸IC芯片制造過程中的應用集成電路濕法工藝IC芯片清洗工藝分類1. 前段灰化后清洗 35%     -硫酸過氧化混合液清洗(SPM Clean) 2.   熱氧化前預清洗      &#...
發布時間: 2018 - 06 - 11
瀏覽次數:211
中國政府“十三五“規劃草案,經濟發展目標包括半導體等先進產業及在晶片材料、機器人、航空設備和衛星的次世代領域成為世界領先,研發經費將達GDP2.5%。那么半導體是怎么制造出來的?這里我們并不是探究從沙子到芯片的過程,而是聚焦于半導體生產制造的環境和生產設備。半導體芯片的生產通常要經歷以下過程:半導體芯片生產工序這些高端精細的制備過程對芯片的生產環境和設備要求是極高的,這些機器設備會令硅芯片(如英特爾硅芯片)遭受超強真空處理、「化學浴」浸泡、高能等離子體加工、紫外光照射等一系列步驟,同時還要使硅芯片經過數百個制造階段,從而將它們變成CPU、存儲器片、圖形處理器等。我們以美國應用材料公司的梅坦技術中心半導體生產環境和制備設備為例。 1.無塵室在進入研究中心以前,必須穿上防護服,戴上面具、護目鏡、兩幅手套以及將鞋完全套住的塑膠袋。這里不是生產車間,相反,這個無塵室只是模擬了晶圓廠的環境,應用材料公司的設備將在這種環境下使用,以便公司及其客戶可以測試新技術和新工藝,然后真正將它們推向生產線。2.玻璃光掩膜 芯片制造的核心技術是平版印刷(光刻),這種技術就像是絲網印刷,只不過不是通過絲制模板將墨滾壓至棉T恤上,而是通過玻璃光掩膜,使紫外光照射表面涂有光刻膠(一種有機化合物)的硅襯底上。在紫外光照射穿透的地方,光刻膠的化學特性會被削弱,使硅芯片表面留下圖案。接著,硅芯片會被...
發布時間: 2018 - 06 - 09
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SEMICON China是中國首屈一指的半導體旗艦展覽,每年吸引全球高數量和高質量的觀眾到場參觀,包括企業高層領導人、采購商和投資人、技術工程師、中央及產業發展熱點地區政府官員,是業界公認的會見新老供應商,洽談生意,獲取最新產品、技術和解決方案的首要平臺。華林科納CSE再次參加了2018年SEMICON China展會,展會期間參展了公司四大系列產品,其產品優勢吸引了眾多知名企業領導蒞臨參觀,其中CSE單片清洗機、甩干機、自動供液系統以及黑硅制絨設備的技術方案在同行里優勢凸顯,多家企業意向預約前往公司生產基地參觀。此次參展的圓滿成功離不開合作伙伴和公司小伙伴們的支持,再次表示感謝,同時也邀請大家參加公司明年的展會,歡迎大家蒞臨參觀指導。
發布時間: 2018 - 03 - 20
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長期以來,多晶太陽電池表面反射率較高的難題一直得不到有效解決,制約了電池效率的進一步提升。濕法黑硅技術成功解決了這一難題,該技術將來勢必成為多晶電池的標配技術。         多晶電池效率的提升受制于表面反射率的降低。常規多晶主要采用酸制絨,形成蠕蟲狀的坑洞;而單晶采用堿制絨,形成金字塔結構的絨面。相比單晶電池,常規多晶電池的表面反射率高3%~5%(絕對值)。降低表面反射率是提高多晶電池效率的關鍵。成本方面,單晶硅片受益于金剛線切割工藝的推廣,成本大幅下降;而多晶硅片金剛線線切的推廣受制于電池制絨工藝的匹配,具體講,金剛線線切多晶硅片使用常規制絨工藝后,反射率更高并有明顯的線痕等外觀缺陷,嚴重降低電池效率。南通華林科納CSE開發的濕法黑硅制絨技術完美的解決以上問題,既能提升電池效率又能降低電池成本,是多晶電池繼續進步的必由之路。 更過太陽能電池片濕法黑硅制絨機設備可以關注南通華林科納半導體CSE網站:www.agencerenoir.com
發布時間: 2017 - 05 - 24
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